1: すらいむ ★ 2025/04/19(土) 23:37:38.23 ID:mPZ+IZMU 400ピコ秒の書込速度を実現した新型フラッシュメモリ「PoX」、復旦大学が開発 復旦大学の研究チームは4月17日、データの書き込み速度400ピコ秒を可能とした新たなフラッシュメモリ「PoX」を開発したことを発表した。 詳細は4月16日付で科学誌「Nature」に「Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection」というタイトルで掲載された。 メモリの読み書きにかかるアクセス速度は揮発性のSRAMやDRAMがナノ秒オーダーである一方、不揮発性であるNAND型フラッシュメモリは100マイクロ秒前後と差がある。 その間を埋める次世代不揮発性メモリとしてMRAMやReRAM、PCM、FeFETなども存在するが、それでもSRAMに匹敵するような速度と容量の両立には至っていない。 (公開部分ここまで) マイナビニュース 2025/04/18 17:07 引用元: ・400ピコ秒の書込速度を実現した新型フラッシュメモリ「PoX」、復旦大学が開発(Nature) [すらいむ★]…