1: すらいむ ★ 2024/04/04(木) 23:54:58.01 ID:BjMQonPP 窒化アルミニウム系の次世代パワー半導体デバイスの作製に成功 名大と旭化成 次世代パワー半導体などの材料として期待される窒化アルミニウム(AlN)系材料を使い半導体の基本構造である「pn接合」を作製することに名古屋大学と旭化成のグループが成功した。 「AlN系pn接合」は、従来のSiC(シリコンカーバイド)やGaN(窒化ガリウム)と比べて特に電流-電圧特性が2倍と高電圧に対する優れた耐性を示した。 高周波化による通信速度向上が求められる6G以降の通信技術などに応用できる可能性がある。 (以下略、続きはソースでご確認ください) マイナビニュース 2024/04/04 21:48 引用元: ・【半導体】窒化アルミニウム系の次世代パワー半導体デバイスの作製に成功 名大と旭化成 [すらいむ★]…