1: すらいむ ★ 2025/10/16(木) 22:37:13.85 ID:n6sZhKH1 SRAM並みの速度と不揮発性を持つ次世代メモリ「SOT-MRAM」開発の壁がついに破られる：TSMCら量産化に大きな前進 コンピュータの性能を語る上で欠かせない「メモリ」。 その世界で、長年の常識を覆す可能性を秘めた、まさに革命的な発見が報告された。 台湾の国立陽明交通大学（NYCU）が主導し、半導体製造の巨人TSMCや米スタンフォード大学などが参加する国際共同研究チームが、次世代メモリ「SOT-MRAM」の実用化を阻んできた最後の壁ともいえる材料問題を解決したのだ。 発表されたプロトタイプは、CPUのキャッシュメモリに使われるSRAMに匹敵する約1ナノ秒という驚異的な書き込み速度を実現しながら、電源を落としても10年以上データを保持する「不揮発性」を両立。 これは、メモリ業界が数十年にわたって追い求めてきた「夢のメモリ」の姿そのものだ。 この技術が私たちの手元に届くとき、AIの進化は加速し、スマートフォンのバッテリーは劇的に長持ちし、「起動時間」という概念すら過去のものになるかもしれない。 （以下略、続きはソースでご確認ください） xenospectrum 2025年10月15日 引用元: ・SRAM並みの速度と不揮発性を持つ次世代メモリ「SOT-MRAM」開発の壁がついに破られる：TSMCら量産化に大きな前進 [すらいむ★]…
